分立器件

P/N

VDS Max. (V)

 Rdson Max. (mΩ)

Qg  (nC)

FR Diode

 封装 样品
GBS65060TOA 650 60 95 Yes

TO-220

 申请
GBS65060TOB 650 60 95 Yes

TO-247

 申请
GBS65041TOB 650 38 149 Yes TO-247 申请
GBS65041CTOB 650 40 130 Yes TO-247 申请
GBS60037TOB 600 34 146 Yes TO-247 申请
GBS60030TOB 600 30 154 Yes TO-247 申请
                   
                   
                   
                   

SJ MOSFET

SGT MOSFET

 

P/N

VDS Max. (V)

 Rdson Max. (mΩ)

Qg  (nC)

 封装 样品
GBS032R4PMAR 30 1.6 36

PDFN 5x6

 申请
GBS032R4PMBR 30 1.85 36

PDFN 3x3

 申请
GBS030R8TPMAR 30 1.05 72 PDFN 5x6 申请
GBS030R8TLAR 30 1.25 72 TOLL 申请
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           

GaN HEMT

P/N 类别

VDS Max. (V)

Rdson max (mΩ)

 封装 样品

GBP65200G

 GaN Power Stage 650 180 PDFN 5x6 申请
GBG65200 GaN HEMT 650 180

PDFN 8x8

 申请