GBS65041：N-channel 650V 34mΩ (Typ) Power MOSFET

  GBS65041是一款650V 34mΩ超结MOSFET，得益于其很低的寄生电容以及超快的开关速度，使得这款产品适用于高频大功率开关电源设计。由于集成了超快恢复体二极管，这款产品同时兼容硬开关和软开关设计，能很大程度提高电源效率以及功率密度。 

  在优化DS开关振荡以及EMI的基础上具有超快的开关时间以及体二极管反向恢复特性。非常适合高频大功率硬开关如PFC，以及软开关如LLC和移相全桥的应用，在通信电源、算力电源、服务器电源以及直流充电桩模块都有广泛应用。

  产品提供低热阻的TO247封装。

典型系统框图

产品特性

  • 超结MOSFET
  • 650V 耐压
  • 超低内阻：34mΩ
  • 超低FOM：5066mΩ*nC
  • 超快恢复体二极管：Trr=166ns, Qrr=1.2uC
  • 100%雪崩击穿测试
  • T0247封装

产品优势

1. 超低R_{DS_ON}

• 具有极低的内阻，25℃/10V驱动电压/25A电流下的内阻典型值为34mΩ
• 极好的内阻分布，25℃/10V驱动电压/25A电流下的最大典型值为38mΩ，内阻分布非常紧密
• 较低的温漂

2. 超快恢复体二极管

• 极快的体二极管反向恢复速度： T_rr=166ns
• 极低的体二极管反向恢复电荷：Q_rr=1.2uC
• 较小的体二极管反向恢复峰值电流：I_rrm=14.5A

3. 超快的开关速度

• 母线电压400V，漏极电流25A工况下的开通时间为：Tr=8ns
• 母线电压400V，漏极电流25A工况下的关断时间为：Tr=10ns

数据手册