GBS60030TOB
600V , 导通内阻29mΩ（典型值）, 超结MOSFET
特性
- 600V 电压的超级结MOSFET
- 超快恢复的体二极管
- 导通内阻Rds(on).Max.= 30mΩ， Typ.= 29mΩ
- 快速切换开关 在同类中最佳的满负荷电源效率
- 可提供TO-220，TO-247封装 完全符合JEDEC工业标准应用程序
参数
| Parameter | VALUE | UNIT |
|
VDS @ Tj_Max. |
650 |
V |
|
Rds(on) Max. @Vgs=10V |
30 |
mΩ |
|
Qg, Typ |
54 |
nC |
|
ID-pulse |
300 |
A |
|
Eoss@400V |
16 |
µJ |
|
Body diode diF/dt |
1200 |
A/µs |
| Fast Recovery | No | |
| Package | TO-247, TO-220 | |
.应用场景
- 开关能源
- 服务器开关
- 充电电源
- 固态断路器
文档及工具
| 文档 | |
| GBS60030TOB 规格书 |
