GBS030R8T
30V 0.85mΩ (typ.) SGT MOSFET
概述
30V 低压 SGT MOSFET， 实现了超低导通电阻，使该器件适用于电池应用。得益于在开关性能和导通性能之间的出色平衡，GBS030R8T 在硬开关和软开关拓扑中都提供了非常高的效率。
GBS030R8T提供DFN 5x6 或TOLL封装
特性
- 低漏极-源极导通电阻：0.85mΩ（典型）VGS=10V
- 极好的高温导通电阻：Ron_125℃=1.4* Ron_25℃
- 小栅极电荷：Qg=72nC（典型）VGS=10V
- 小体二极管反向恢复电荷：Qrr=36nC
- 低漏级电流：1uA（VDS=30V，Tj=25℃）
- 极紧分布开启电压：Vth=1.2~2.0V；同lot分布±0.2V
- DFN 5x6 或TOLL封装
参数
DFN 5x6 封装
| Parameter | VALUE | UNIT |
| VDS | 30 | V |
| RDS(on), 10V, max | 1.05 | mΩ |
| RDS(on), 4.5V, max | 2.3 | mΩ |
| Qg，10V | 72 | nC |
| Qg，4.5V | 39 | nC |
| ID | 200 | A |
| Package | PDFN 5x6 - 8L | |
TOLL封装
| Parameter | VALUE | UNIT |
| VDS | 30 | V |
| RDS-ON typ @Vgs=10V, Tj=25℃ | 1.05 | mΩ |
| RDS-ON max @Vgs=10V, Tj=25℃ | 1.25 | mΩ |
| RDS-ON typ @Vgs=10V, Tj=125℃ |
1.5 |
mΩ |
| Qg (Typ@10V) | 72 | nC |
| ID-pulse | 800 | A |
| Package | TOLL | |
应用场景
- 化成分容设备
- BMS
- 电源路径管理
- 开关电源（<100kHz）
文档及工具
| 文档 | |
| GBS030R8T 规格书 |
