GBS032R4PMBR
30V 1.55mΩ SGT MOSFET，PDFN 3.3x3.3
概述
30V 低压SGT MOSFET 实现了超低的导通电阻和栅极电荷。由于在开关性能和导电性能之间的卓越平衡，GBS032R4PMBR 在硬开关和软开关拓扑结构中都提供了非常高的效率。GBS032R4PMBR 提供了PDFN3.3*3.3封装。
特性
- 低漏极-源极导通电阻：
- 1.55mΩ（Typ.）VGS=10V
- 1.85mΩ（Max.）VGS=10V
- 低栅极电荷：
- 36nC （Typ.）VGS=10V
- 极快的开关速度：
- Tr=Tf=3.3ns
- 低的品质因素 FOM:
- 55.8mΩ*nC VGS=10V
- 极小的体二极管反向恢复电荷：
- Qrr=23.5nC
- DFN 3x3
参数
| Parameter | VALUE | UNIT |
| VDS | 30 | V |
| RDS(on), 10V, max | 1.85 | mΩ |
| RDS(on), 4.5V, max | 2.8 | mΩ |
| Qg, 10V | 36 | nC |
| ID @ TC=25℃ | 168 | A |
| Package |
PDFN 3.3x3.3 - 8L |
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应用场景
- 开关能源
- 电机控制
- 通信电源
- 电池充电电源
文档及工具
| 文档 | |
| GBS032R4PMBR 规格书 |
