GBS032R4

概述

30V 低压SGT MOSFET 实现了超低的导通电阻和栅极电荷。由于在开关性能和导电性能之间的卓越平衡，GBS032R4PMBR 在硬开关和软开关拓扑结构中都提供了非常高的效率。

GBS032R4PMBR 提供了PDFN3.3*3.3封装。

特性

• 低漏极-源极导通电阻：
  • 1.3mΩ（Typ.）VGS=10V
  • 1.6mΩ（Max.）VGS=10V
• 低栅极电荷：
  • 36nC （Typ.）VGS=10V
• 极快的开关速度：
  • Tr=Tf=3.3ns
• 超低的品质因素 FOM:
  • 46.8mΩ*nC VGS=10V
• 极小的体二极管反向恢复电荷：
  • Qrr=23.5nC
• DFN 3x3 或 DFN 5x6 封装

参数

应用场景

• 开关能源
• 电机控制
• 通信电源
• 电池充电电源

文档及工具