GBS65060TOA
650V 60mΩ（max） Super Junction MOSFET
概述
650V高压超级结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，GBS65060在谐振开关拓扑中提供了极高的效率。超快速恢复体二极管使GBS65060适合高开关频率应用，并支持高功率密度应用。GBS65060采用TO-220封装
特性
- 650V 电压的超级结MOSFET
- 超快恢复的体二极管
- 导通内阻Rds(on).Max.= 55mΩ，Typ.=50mΩ
- 快速切换开关 在同类中最佳的满负荷电源效率
- 可提供TO-220
- 完全符合JEDEC工业标准应用程序
参数
| Parameter | VALUE | UNIT |
| VDS | 650 | V |
| RDS(on), max | 60 | mΩ |
| ID | 36 | A |
| Qg | 95 | nC |
| Fast Recovery | Yes | |
| Package | TO-220 | |
应用场景
- 开关电源
- 服务器开关电源
- 充电电源
- 光伏逆变
文档及工具
| 文档 | |
| GBS65060TOA 规格书 |
