GBS60020TOB
600V , 导通内阻17.8mΩ（典型值）, 超结MOSFET
概述
GBS60020 是一款600V 20mΩ SJ MOSFET. 集成快恢复二极管。器件具有开关快、振荡小且收敛性好的特性。 广泛应用于直流充电桩模块、激光电源、算力电源等各项开关电源应用场景以及固态断路器等电力场合。
GBS60020提供TO-247封装。
特性
- 600V 电压的超级结MOSFET
- 超快恢复的体二极管
- 导通内阻Rds(on).Max.= 20mΩ， Typ.= 17.8mΩ
- 快速切换开关
- 在同类中最佳的满负荷电源效率
- 可提供TO-247封装
- 完全符合JEDEC工业标准应用程序
参数
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参数 |
值 |
单位 |
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VDS @ Tj_Max. |
650 |
V |
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Rds(on) Max. @Vgs=10V |
20 |
mΩ |
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Qg, Typ |
226 |
nC |
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ID-pulse |
300 |
A |
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Eoss@400V |
24 |
µJ |
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Body diode diF/dt |
1200 |
A/µs |
应用场景
- 开关能源
- 服务器开关电源、
- 激光电源
- 充电电源
