GBP65200G

 概述

 GBP65200G是650V 氮化镓Power Stage，内部集成了 150mΩ 氮化镓（GaN）HEMT和高性能GaN HEMT驱动器，支持高达1MHz的开关频率和7-20V工作电压，为用户提供高效、高频、优质EMI性能的氮化镓方案。GBP65200G的输入信号支持TTL电平，极大适应各种PWM输入情况、简化PWM输入电路设计；同时输入信号电压范围低至-5V，强化了方案抗噪声能力。

 特性

• 内置氮化镓专用驱动器\
• 7V~20V宽范围工作电压
• -5V~20V宽输入信号范围
• TTL输入逻辑阈值
• 92.5%效率@90Vac 20Vout/3.25A（GBP65200GEVM-001）
• 内置150 mΩ低导通电阻的650V
• GaN HEMT
• 工作频率高达1MHz  
• 低静态电流：120uA 输入floating时，输出强制为低
• QFN 5x6 mm封装

 应用框架图

 应用领域

• 适配器
• 服务器SMPS
• LED照明
• 光伏逆电

文档及工具