GBI7256
20V/5A 双通道 氮化镓(GaN)HEMT、MOSFET、IGBT 等功率器件低边驱动芯片
概述
GBI7256是一款双通道高性能的氮化镓(GaN)HEMT、MOSFET、IGBT等功率器件驱动器。可提供轨-轨、5A尖峰驱动能力。该器件工作电压为4.5-20V,输入信号可低至-5V、同时兼容TTL电平,在简化了输入信号电路设计的同时,提供强大的抗干扰能力。GBI7256通过独立的输入管脚,支持反向驱动模式或者同向驱动模式。该器件同时配备了多重保护,输入欠压保护、过热关断保护等,极大的保护了系统使用安全。
GBI7256支持WSON-8封装。
特性
- 5A峰值源电流和5A峰值灌电流
- 4.5V - 20V宽范围电源电压输入
- 提供-5V负输入电压能力
- 快速传播延迟: 13ns
- 快速上升和下降时间: 8.5ns and 6.5ns
- 兼容TTL和CMOS输入逻辑门限
- 低静态电流: 65uA
- 输入Floating时输出强制为低
- 可提供多种输入-输出相位组合
- 工作结温-40°C ~ 150°C
- 可提供WSON-8封装
应用框架图
应用场景
- 直流模块电源
- 光伏微逆
- 园林工具
文档及工具
文档 | |
GBI7256规格书 | 下载地址 |