GBI7256

20V/5A 双通道 氮化镓(GaN)HEMT、MOSFET、IGBT 等功率器件低边驱动芯片

 

概述

 

GBI7256是一款双通道高性能的氮化镓(GaN)HEMT、MOSFET、IGBT等功率器件驱动器。可提供轨-轨、5A尖峰驱动能力。该器件工作电压为4.5-20V,输入信号可低至-5V、同时兼容TTL电平,在简化了输入信号电路设计的同时,提供强大的抗干扰能力。GBI7256通过独立的输入管脚,支持反向驱动模式或者同向驱动模式。该器件同时配备了多重保护,输入欠压保护、过热关断保护等,极大的保护了系统使用安全。

GBI7256支持WSON-8封装。

 


 

特性

 

  • 5A峰值源电流和5A峰值灌电流
  • 4.5V - 20V宽范围电源电压输入
  • 提供-5V负输入电压能力
  • 快速传播延迟: 13ns
  • 快速上升和下降时间: 8.5ns and 6.5ns
  • 兼容TTL和CMOS输入逻辑门限
  • 低静态电流: 65uA
  • 输入Floating时输出强制为低
  • 可提供多种输入-输出相位组合
  • 工作结温-40°C ~ 150°C  
  • 可提供WSON-8封装

 


 

应用框架图

 

 


 

应用场景

 

  • 直流模块电源
  • 光伏微逆
  • 园林工具

 


 

文档及工具

 

文档  
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