功率器件

顾邦半导体提供SJ MOSFET、SGT MOSFET，具有高开关速度、高应用效率和低栅极电荷，提供优异的工艺稳定性和可靠性。广泛用于服务器CPU/GPU供电、通信模块电源、电机驱动、新能源、光伏等应用。

P/N Package Type

VDS Max. (V)

 Rdson max (mΩ) Qg (nC) ID（A） 25⁰C

Fast Recovery 

 Sample
GBS65060TOB

TO-247

 N 650 60 95

36

 Yes 申请
GBS65060TOA

TO-220

 N 650 60 95 36 Yes 申请
GBS65041TOB TO-247 N 650 38 149 58 No 申请
GBS60037TOB TO-247 N 600 34 146 60 Yes 申请
GBS60027TOB TO-247 N 600 27 192 80 Yes 申请
GBS60022TOB TO-247 N 600 22 235 97 Yes 申请
GBS60018TOB TO-247 N 600 18 282 119 Yes 申请
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 

SGT MOSFET

 

P/N Package Type

VDS Max. (V)

 Rdson_10V_ max (mΩ) Rdson_4.5V -max (mΩ) Qg_10V (nC) Qg_4.5V (nC ID（A） 25⁰C Sample
GBS032R4

PDFN 3x3 - 8L

 

PDFN 5x6 - 8L

 N 30 1.6 2.5 36 18 180 申请
GBS030R8T PDFN 5x6 - 8L N 30 1.05 2.3 72 39 200 申请
GBS042R4 DFN 5x6 N 40   2.4 28 100 100 申请
GBS041R0 DFN 5x6 N 40   1.0 68 150 150 申请
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   
                   

SJ MOSFET

GaN HEMT

P/N Package

VDS Max. (V)

 Rdson_max (mΩ) Rdson_typ (mΩ) Sample
GBG65200

PDFN 8x8 - 9L

 650 180 140 申请