GBP65200P
650V 150mΩ 氮化镓(GaN)Power Stage
概述
GBP65200G 是一款650V 140mΩ 氮化镓HEMT. DFN8X8mm封装具有良好的散热性能,支持65W-140W高频开关电源应用。广泛应用于PD快充,LED驱动器等应用场景。
特性
- 低漏极-源极导通电阻:
- 140mΩ(Typ.)VGS=6V
- 190mΩ(Max.)VGS=6V
- 低栅极电荷: 1.9nC (Typ.)VGS=0V~V
- 超低的品质因素 FOM: 266mΩ*nC
- 零反向恢复电荷: DFN 8x8 封装
应用领域
- 适配器
- 服务器SMPS
- LED照明
- TV
样品及购买