GBP65200P

650V 150mΩ 氮化镓(GaN)Power Stage

 

 概述

 

GBP65200G 是一款650V 140mΩ 氮化镓HEMT. DFN8X8mm封装具有良好的散热性能,支持65W-140W高频开关电源应用。广泛应用于PD快充,LED驱动器等应用场景。

 


 

 特性

  • 低漏极-源极导通电阻:
    • 140mΩ(Typ.)VGS=6V
    • 190mΩ(Max.)VGS=6V
  • 低栅极电荷: 1.9nC (Typ.)VGS=0V~V
  • 超低的品质因素 FOM: 266mΩ*nC
  • 零反向恢复电荷: DFN 8x8 封装

 


 

 

 应用领域

 

  • 适配器
  • 服务器SMPS
  • LED照明
  • TV
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